Концентрация примесей в кристаллах

Концентрация примесей в кристаллах

Для таких исследований наиболее приемлемы полупроводниковые кристаллы a-SiC. Они растут в строго контролируемых условиях, по сравнению с техническим карбидом кремния имеют более совершенную структуру и заданное количество определенной легирующей примеси, хотя примеси в них распределены недостаточно равномерно. Для исследований были выбраны полупроводниковые монокристаллы a-SiC, выращенные в ГИРЕДМЕТе: нелегированные (естественное легирование азотом) и легированные алюминием и бором. Исходные электрофизические параметры этих образцов приведены в табл. Концентрация примесей в этих кристаллах незначительна. Концентрация примесей в этих кристаллах незначительна.

Представляло бы интерес изучение влияния на механические свойства кристаллов карбида кремния легирующих примесей в значительно больших концентрациях. Поскольку такие кристаллы среди полупроводниковых не встречаются, были исследованы монокристаллы технического карбида кремния двух сортов: зеленого (КЗ) и черного (КЧ). Такие кристаллы содержат значительное количество различных примесей, однако их цвет вызван наличием: азота — в КЗ и алюминия — в КЧ. При всей сложности установления возможной связи механических свойств КЗ и КЧ с содержанием в них именно этих примесей, такое исследование целесообразно, так как даже простое сопоставление их механических свойств представляет интерес для абразивной промышленности.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: